TO-247大功率MOS散热片

TO-247大功率MOS管散热专用 绝缘片 氮化铝陶瓷双面渡铜 TO247

定做 超导TO247 绝缘散热片 氮化铝双面渡铜 半导体制冷用途 陶瓷 导热系数理论高达320/Wm·K氮化铝双面镀铜，金属化，线路板 ！

氮化铝导热陶瓷 有着良好的导热性能广泛应用于： 薄膜金属化基板广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等

 

AIN氮化铝,晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。

性能指标

Ø(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；

Ø(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；

Ø(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；

Ø(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；

Ø(5)光传输特性好；

Ø(6)无毒；